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双室磁控溅射镀膜系统WD-MSI600-Dual
介绍： 威德WD‑MSI600‑Dual为高端薄膜研发用高真空双室磁控溅射镀膜系统采用沉积腔与进样室双腔独立结构，支持手动/自动抽真空，具备压差联锁保护。集成多靶溅射、高温样品台、负偏压清洗及PLC全自动控制可制备氧化物、金属、氮化物等各类薄膜，适用于高校科研、半导体、光学镀膜、新能源材料的工艺研发及小批量生产。型号： WD-MSI600-Dual -
手套箱磁控溅射系统WD-MSI600-GB
介绍： 威德 WD-MSI600-GB 手套箱磁控溅射系统，专为钙钛矿、OLED、QLED、TFT及集成电路等光电器件研发打造。系统将溅射腔体与手套箱无缝集成，支持ITO透明电极、Cu/Al背电极及金属/氧化物/氮化物薄膜的高质量制备，实现从溅射到封装的全流程无水无氧连续操作，适用于高校科研与企业工艺验证。型号： WD-MSI600-GB -
四靶磁控溅射系统WD-MSI500
介绍： 威德 WD-MSI500 四靶磁控溅射系统是一套配备四只独立磁控溅射靶的多功能高真空镀膜装备，专为科研院所及先进制造领域设计。系统兼具“低温沉积”与“高速成膜”两大核心优势。该技术路线所制备的薄膜具有厚度可控性好、重复性高、与基片附着力强、膜层纯度高等突出特点，广泛应用于金属薄膜、氧化物薄膜、绝缘膜及半导体薄膜的制备与研究。型号： WD-MSI500 -
三靶磁控溅射系统WD-MSI400
介绍： 威德 WD-MSI400 三靶磁控溅射系统专为科研院所及先进制造领域设计的多功能高真空镀膜装备，配备三只独立磁控溅射靶。系统基于磁控溅射技术，所制备的薄膜具有厚度可控性好、重复性高、与基片附着力强、膜层纯度高等突出特点，广泛应用于金属薄膜、氧化物薄膜、绝缘膜及半导体薄膜的制备与研究。型号： WD-MSI400 -
双靶磁控溅射系统WD-MSI300
介绍： 威德 WD‑MSI300 双靶磁控溅射镀膜设备主机电控一体化紧凑结构，便于操作维护；不锈钢精密真空室，极限真空优于6×10⁻⁵Pa。配500W直流+500W自动匹配射频电源，支持双靶共溅射/交替溅射，可制备金属、氧化物、介电质半导体等功能薄膜，适合科研实验、教学及产线前期工艺验证。型号： WD-MSI300 -
桌面式高真空磁控溅射仪WD-MSI200S
介绍： 威德 WD-MSI200S 桌面式高真空磁控溅射仪集成2/3英寸磁控溅射靶（高度可调）、直流/射频电源选配及偏压样品台。数显真空计（进口规管）精准控压，质量流量控制器独立调节反应气体，支持金属/化合物薄膜高效制备，扩展性强，操作便捷。型号： WD-MSI200S -
WD-MSI200桌面式磁控溅射仪
介绍： 威德桌面式磁控溅射仪集成2/3英寸磁控溅射靶（高度可调）、直流/射频电源选配及偏压样品台。数显真空计（进口规管）精准控压，质量流量控制器独立调节反应气体，支持金属/化合物薄膜高效制备，扩展性强，操作便捷。型号： WD-MSI200
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