四靶磁控溅射系统WD-MSI500
简 述：
威德 WD-MSI500 四靶磁控溅射系统是一套配备四只独立磁控溅射靶的多功能高真空镀膜装备，专为科研院所及先进制造领域设计。系统兼具“低温沉积”与“高速成膜”两大核心优势。该技术路线所制备的薄膜具有厚度可控性好、重复性高、与基片附着力强、膜层纯度高等突出特点，广泛应用于金属薄膜、氧化物薄膜、绝缘膜及半导体薄膜的制备与研究。
产品型号：
- WD-MSI500
威德 WD-MSI500 四靶磁控溅射系统是一套配备四只独立磁控溅射靶的多功能高真空镀膜装备，专为科研院所及先进制造领域设计。系统兼具“低温沉积”与“高速成膜”两大核心优势。该技术路线所制备的薄膜具有厚度可控性好、重复性高、与基片附着力强、膜层纯度高等突出特点，广泛应用于金属薄膜、氧化物薄膜、绝缘膜及半导体薄膜的制备与研究。
产品特点
1.多靶共焦，工艺丰富：四只角度可调磁控溅射靶，支持单靶独立、多靶共溅射，可制备单质、多层、混合及反应化合物薄膜。
2.高真空环境，膜层纯净：极限真空≤5×10⁻⁵Pa，减少残余气体污染，保障薄膜高纯度与强附着力。
3.精准控温，适配特种薄膜：基片架最高600℃高温加热，PID智能温控，满足氧化物、高温合金等薄膜制备。
4.参数可调，工艺适配性强：靶基距80‑120mm连续可调，适配多种材料与沉积工艺。
5.应用领域：可制备硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、复合膜、磁性薄膜等新型薄膜；面向高校科研院所、半导体、光学镀膜、新能源、新材料开发领域。
产品参数
真空性能
1.多靶共焦，工艺丰富：四只角度可调磁控溅射靶，支持单靶独立、多靶共溅射，可制备单质、多层、混合及反应化合物薄膜。
2.高真空环境，膜层纯净：极限真空≤5×10⁻⁵Pa，减少残余气体污染，保障薄膜高纯度与强附着力。
3.精准控温，适配特种薄膜：基片架最高600℃高温加热，PID智能温控，满足氧化物、高温合金等薄膜制备。
4.参数可调，工艺适配性强：靶基距80‑120mm连续可调，适配多种材料与沉积工艺。
5.应用领域：可制备硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、复合膜、磁性薄膜等新型薄膜；面向高校科研院所、半导体、光学镀膜、新能源、新材料开发领域。
产品参数
真空性能
极限真空度:≤5×10⁻⁵Pa（清洁+烘烤去气条件下，12小时内获得）
抽真空时间:≤5×10⁻⁴Pa（40分钟内）
真空室尺寸：500×500×H450mm（可根据实际设计适当调整）
真空室结构：正面开门，便于取放样品
溅射系统
磁控溅射靶数量：4只分布于圆周，固定于真空室顶板）
靶材尺寸：2寸或3寸可选 工作模式：各靶可独立/顺次/共同工作
溅射电源配置：2台直流电源+2台自动匹配射频电源。
靶基距（靶与基片距离）：80～120mm连续可调
基片架与加热系统
适用基片尺寸 ：≤Φ8inch圆片 基片架转速：0～30转/分钟 连续可调
基片架功能：可旋转+升降（磁流体密封装置+步进电机驱动）
基片架升降行程：≤50mm（轴向方向）
最高加热温度 ：500-800℃ 可选附加功能 ：基片偏压
真空泵组与阀门
主泵：分子泵，抽速1600L/S
前级/预抽泵：12L/S旋片泵（兼起预抽泵和前级泵作用）
气路系统
气路总数：4路进气（含1路放气） 质量流量控制器3套
控制系统
控制方式：标配触摸屏自动控制系统
控制内容：抽真空、溅射电源切换、靶挡板开关、基片架旋转/升降、加
热温控、气路流量及压力等全流程自动化控制
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