双室磁控溅射镀膜系统WD-MSI600-Dual
简 述：
威德WD‑MSI600‑Dual为高端薄膜研发用高真空双室磁控溅射镀膜系统采用沉积腔与进样室双腔独立结构，支持手动/自动抽真空，具备压差联锁保护。集成多靶溅射、高温样品台、负偏压清洗及PLC全自动控制可制备氧化物、金属、氮化物等各类薄膜，适用于高校科研、半导体、光学镀膜、新能源材料的工艺研发及小批量生产。
产品型号：
- WD-MSI600-Dual
威德WD‑MSI600‑Dual为高端薄膜研发用高真空双室磁控溅射镀膜系统采用沉积腔与进样室双腔独立结构，支持手动/自动抽真空，具备压差联锁保护。集成多靶溅射、高温样品台、负偏压清洗及PLC全自动控制可制备氧化物、金属、氮化物等各类薄膜，适用于高校科研、半导体、光学镀膜、新能源材料的工艺研发及小批量生产。
产品特点
产品特点
1.高真空与安全双保障：采用“沉积室+进样室”独立双腔体设计，配合分子泵与机械泵组合，实现快速高真空；腔体传输阀配备1000Pa压差联锁保护，确保工艺安全与基片洁净传递。
2.工艺灵活、拓展性强：3套3英寸溅射靶带自动挡板，射频/脉冲双模式电源；兼容金属、氧化物薄膜沉积；支持 800℃高温样品台、负偏压清洗，适配复杂多层膜工艺。
3.智能化精确控制：PLC+触摸屏全自动控制系统，统一设置功率、气体配比与时序，保障工艺可重复；支持手动/自动双模式抽真空，操作简单。
4.配置模块化且接口开放：样品台升降旋转驱动电机由用户自备，灵活匹配不同科研需求；核心部件（规管、阀体、质量流量控制器）选用成熟品牌，维护方便，标准配件齐全，降低用户后续成本。
产品参数
腔体结构与控制逻辑双独立腔体，可自动独立抽真空，1000Pa压差联锁沉积真空室
产品参数
腔体结构与控制逻辑双独立腔体，可自动独立抽真空，1000Pa压差联锁沉积真空室
腔体： 500×500×420mm，带观察窗
真空机组：1200L分子泵×1，8L/S机械泵×1
真空室尺寸：300×300×H350mm真空室采用不锈钢加工而成
真空测量：数显复合真空计，配套金属裸规1套
气路：3路质量流量控制器（Ar100/N50/0.50sccm），带自动截止阀
进样室
腔体：Φ200×400mm，前开门带观察窗
真空机组：600L分子泵×1，6L/S机械泵×1
真空测量：数显复合真空计，配套金属裸规1套
传输：CF35机械手1套，实现基片转运
基片架与磁控溅射系统
基片承载：高温样品台1套）；基片规格配套套件1套
基片辅助功能：负偏压装置1套；配套温控电源1套
溅射靶源：3套3英寸磁控溅射靶，带自动挡板及挡板控制机构
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