常见问题

• 镀膜做不好？问题出在这3个参数

  做镀膜的人都知道，最怕的不是设备贵不贵，而是这三个坑翻来覆去地踩：膜厚不均、附着力差、批次色差。

  1、真空度——膜层质量的隐形地基

  本底真空达不到，残留的水汽和氧气会混进膜层，结果就是膜发黑、疏松、附着力说崩就崩。镀膜前先查本底真空，这一步别省。

  2、沉积速率——快慢都有代价

  速率太快，膜层疏松、应力大，一测就裂；太慢，效率低还容易引入污染。不同材料要单独调速率，没有一套通吃的参数。

  3、基底温度——决定晶粒和结合力

  温度决定晶粒大小和膜基结合力。玻璃、硅片、柔性基底对温度的要求完全不同，用错温度，前面全白干。

  这3个参数看着基础，90%的翻车都出在它们身上。建议先收藏，下次镀膜前逐项对照检查。

   
• 很多做钙钛矿、薄膜、半导体、ITO 基底的小伙伴都会问： UVO 紫外臭氧清洗机，能不能直接替换等离子清洗机？

  ✨原理简单区分

  UVO 紫外臭氧清洗（威德 WD-UVO 系列） 185nm+254nm 双波段紫外，在常压空气下产生臭氧，纯化学氧化，分解基材表面碳氢有机污染物； 温和无离子轰击，不会损伤基底表面，同时提升亲水性。 ?不需要真空泵、不需要工艺气体，开机就能用，维护简单、成本更低。

  等离子清洗 真空环境，电离氧气 / 氩气等气体形成等离子体，物理轰击 + 化学反应双作用； 既能除有机物，还可以打颗粒、去除氧化层，对 3D 凹槽、深孔样品处理能力强。 ?需要真空泵、工艺气瓶，设备成本高，高能离子有概率损伤超薄 / 脆弱薄膜。

  核心差异

  UVO 紫外臭氧清洗

  环境：常压空气，无需真空

  作用：仅去除表面有机污染物、表面亲水改性

  优点：样品无轰击损伤，操作简单，维护便宜，大面积基板友好（WD-UVO400），可带加热台

  短板：处理时间更长（一般 10–30min），不能去除颗粒、金属氧化层，不适合易被臭氧氧化的材料

  等离子清洗

  环境：真空腔体，需要真空泵

  作用：去除有机物 + 微颗粒 + 氧化层，复杂三维结构无死角

  优点：处理速度快（1–3 分钟），可切换不同工艺气体实现刻蚀、还原