三靶磁控溅射系统WD-MSI400
简 述：
威德 WD-MSI400 三靶磁控溅射系统专为科研院所及先进制造领域设计的多功能高真空镀膜装备，配备三只独立磁控溅射靶。系统基于磁控溅射技术，所制备的薄膜具有厚度可控性好、重复性高、与基片附着力强、膜层纯度高等突出特点，广泛应用于金属薄膜、氧化物薄膜、绝缘膜及半导体薄膜的制备与研究。
产品型号：
- WD-MSI400
威德 WD-MSI400 三靶磁控溅射系统专为科研院所及先进制造领域设计的多功能高真空镀膜装备，配备三只独立磁控溅射靶。系统基于磁控溅射技术，所制备的薄膜具有厚度可控性好、重复性高、与基片附着力强、膜层纯度高等突出特点，广泛应用于金属薄膜、氧化物薄膜、绝缘膜及半导体薄膜的制备与研究。
产品特点
产品特点
1.一机多能，工艺灵活：三靶独立控制，支持单靶/组合共溅射，适配单层、多元掺杂膜制备，缩短工艺开发周期。
2.高真空环境，成膜洁净：极限真空≤5×10⁻⁵Pa，降低残余气体干扰，膜层计量精准、界面纯净、附着力强。
3.温控精准，适配特种材料：集成600℃高温加热，PID智能控温，温度稳定，满足氧化物、高温合金等薄膜沉积需求。
6.智能操控，一键运行：触屏集成全流程自动化，真空、电源、挡板、加热、气路自动控制，减少人为操作，保障实验可重复。
产品参数
真空性能
极限真空度:≤5X10⁻⁵Pa(清洁+烘烤去气，12h内获得)
抽真空时间:≤5X10⁻⁴Pa/40min
内真空室尺寸:400X400XH380~450mm;正面开门，方便操作
2.高真空环境，成膜洁净：极限真空≤5×10⁻⁵Pa，降低残余气体干扰，膜层计量精准、界面纯净、附着力强。
3.温控精准，适配特种材料：集成600℃高温加热，PID智能控温，温度稳定，满足氧化物、高温合金等薄膜沉积需求。
4.多维调节，兼容各类靶材：靶基距80‑120mm连续可调，搭配基片旋转升降机构，灵活优化沉积参数，拓宽工艺窗口。
5.成膜高效，品质均一：依托磁控溅射低温高速沉积与共焦结构，大面积基片可获得膜厚均匀、成分一致性好的优质薄膜。6.智能操控，一键运行：触屏集成全流程自动化，真空、电源、挡板、加热、气路自动控制，减少人为操作，保障实验可重复。
产品参数
真空性能
极限真空度:≤5X10⁻⁵Pa(清洁+烘烤去气，12h内获得)
抽真空时间:≤5X10⁻⁴Pa/40min
内真空室尺寸:400X400XH380~450mm;正面开门，方便操作
溅射系统
磁控溅射靶数量:3只(顶板圆周分布，带独立挡板)
靶材尺寸:2寸或3寸可选溅射电源:2台直流+1台射频(自动匹配)
磁控溅射靶数量:3只(顶板圆周分布，带独立挡板)
靶材尺寸:2寸或3寸可选溅射电源:2台直流+1台射频(自动匹配)
靶基距:80~120mm连续可调
工作模式:独立/顺次/共同工作
工作模式:独立/顺次/共同工作
基片架与加热
适用基片尺寸:≤04inch
基片架功能:旋转0-30rpm，升降行程≤50mm
最高加热温度:≤600°C，PID
智能控温选配:基片偏压
适用基片尺寸:≤04inch
基片架功能:旋转0-30rpm，升降行程≤50mm
最高加热温度:≤600°C，PID
智能控温选配:基片偏压
气路系统
气路总数:4路(含1路放气) 质量流量控制器共3套
气路总数:4路(含1路放气) 质量流量控制器共3套
真空泵组
主泵:分子泵1200L/S
主泵:分子泵1200L/S
前级预抽泵:12L/S旋片泵
控制系统
控制方式:触摸屏全自动控制
控制方式:触摸屏全自动控制
控制覆盖:抽真空、电源切换、挡板、基片运动、加热、气路全流程
400-880-3713
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