双靶磁控溅射系统WD-MSI300
简 述：
威德 WD‑MSI300 双靶磁控溅射镀膜设备主机电控一体化紧凑结构，便于操作维护；不锈钢精密真空室，极限真空优于6×10⁻⁵Pa。配500W直流+500W自动匹配射频电源，支持双靶共溅射/交替溅射，可制备金属、氧化物、介电质半导体等功能薄膜，适合科研实验、教学及产线前期工艺验证。
产品型号：
- WD-MSI300
威德 WD‑MSI300 双靶磁控溅射镀膜设备主机电控一体化紧凑结构，便于操作维护；不锈钢精密真空室，极限真空优于6×10⁻⁵Pa。配500W直流+500W自动匹配射频电源，支持双靶共溅射/交替溅射，可制备金属、氧化物、介电质半导体等功能薄膜，适合科研实验、教学及产线前期工艺验证。
产品特点
1.操作便捷，运行经济：主机与电控一体化设计，结构紧凑，不仅操作直观、保养容易，且有效降低了运行费用。
2.真空室性能优异:极限真空度优于6×10⁻⁵Pa，有效保证薄膜纯度；不锈钢真空室放气率低，确保成膜质量。
3.样品架功能灵活：靶基距可调，基片转速可调，满足不同工艺对薄膜均匀性与厚度的要求。
4.溅射靶配置丰富：配备直流与射频双电源，可溅射金属、氧化物及介电质等多种材料；支持双靶共溅射或交替溅射，拓展实验能力。
5.自动化程度高：PLC+触摸屏控制系统，实现泵阀联锁与工艺参数精确设定，提升实验重复性与安全性。
6.按需定制：本设备支持根据用户的具体实验需求，对靶材规格、膜厚监测、加热温度、气体路数及真空室尺寸等进行灵活调整。
产品参数
镀膜室极限真空：≤6x10⁻⁵Pa
1.操作便捷，运行经济：主机与电控一体化设计，结构紧凑，不仅操作直观、保养容易，且有效降低了运行费用。
2.真空室性能优异:极限真空度优于6×10⁻⁵Pa，有效保证薄膜纯度；不锈钢真空室放气率低，确保成膜质量。
3.样品架功能灵活：靶基距可调，基片转速可调，满足不同工艺对薄膜均匀性与厚度的要求。
4.溅射靶配置丰富：配备直流与射频双电源，可溅射金属、氧化物及介电质等多种材料；支持双靶共溅射或交替溅射，拓展实验能力。
5.自动化程度高：PLC+触摸屏控制系统，实现泵阀联锁与工艺参数精确设定，提升实验重复性与安全性。
6.按需定制：本设备支持根据用户的具体实验需求，对靶材规格、膜厚监测、加热温度、气体路数及真空室尺寸等进行灵活调整。
产品参数
镀膜室极限真空：≤6x10⁻⁵Pa
抽气时间：40分钟内优于5X10⁻⁴Pa
真空室尺寸：300X300XH350mm采用不锈钢加工而成
靶尺寸、数量：2只2寸或3寸永磁粑基距可调(40~100mm，通过靶位调整）
基片尺寸：≤4inch
基片架功能：旋转+升降;加热/水冷;偏压功能可选
主泵配置：分子泵600L/s+8L/s机械泵
主泵配置：分子泵600L/s+8L/s机械泵
气路系统：多路MFC，工作气体Ar+反应气体
膜厚测量：配备一套石英晶振膜厚仪及水冷探头
电源：直流+射频电源
主机尺寸(W*D*H)：约1090*780*1450mm
控制系统：采用触摸屏+控制，控制包括泵、阀等启停及各输出报警等功能
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