桌面式高真空磁控溅射仪WD-MSI200S
简 述:
威德 WD-MSI200S 桌面式高真空磁控溅射仪集成2/3英寸磁控溅射靶(高度可调)、直流/射频电源选配及偏压样品台。数显真空计(进口规管)精准控压,质量流量控制器独立调节反应气体,支持金属/化合物薄膜高效制备,扩展性强,操作便捷。
产品型号:
- WD-MSI200S
威德 WD-MSI200S 桌面式高真空磁控溅射仪集成2/3英寸磁控溅射靶(高度可调)、直流/射频电源选配及偏压样品台。数显真空计(进口规管)精准控压,质量流量控制器独立调节反应气体,支持金属/化合物薄膜高效制备,扩展性强,操作便捷。
产品特点
1.简单操作,一键启动:集成触屏/PLC双控模式,用户界面友好,简化从抽真空到溅射的完整流程。
1.简单操作,一键启动:集成触屏/PLC双控模式,用户界面友好,简化从抽真空到溅射的完整流程。
2.精准真空控制:配备数显真空计及进口规管,实时精准检测与控制腔室真空度,为薄膜沉积提供稳定工艺环境。
3.气体流量精准可调工艺灵活:采用独立的质量流量控制器调节反映气体,实现气体流量的高精度,可重复控制
4.低温高速溅射,适用性广泛:减少对热敏感基片的热损伤,同时提高沉积速率,适用于多种基材和薄膜类型。
5.结构紧凑耐用,扩展灵活:采用喷塑防腐蚀金属台架结构坚固且占地面积小(约700x600x1050mm)预计预留升级接口。
6.可选装关键升级组件按需定制:提供分子泵、射频电源及带偏压的旋转样台等关键选配,可根据研发需求灵活升级,强化设备综合能力。
产品参数
腔体尺寸:DN220~250x320mm
产品参数
腔体尺寸:DN220~250x320mm
极限真空度:≤6×10⁻⁵Pa
抽速:30min内≤6X10⁻⁴Pa
主泵配置:分子泵300L/S+4L/S机械泵
靶材尺寸:2寸(单/双靶)或3寸(单靶)
基片尺寸:≤4inch
基片架功能:旋转+升降+加热
气路系统:2路MFC(Ar+反应)
电源配置:直流/射频可选
设备尺寸(W*D*H):700*600*1050(mm)




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